Copyright ?2025 廣州德祿訊信息科技有限公司 版權(quán)所有
“人才”作為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的第一資源,對(duì)于核心關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。日前《中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書》(2016-2017)在北京發(fā)布,希望借此推動(dòng)集成電路人才的培養(yǎng)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。白皮書以企業(yè)調(diào)研為主,企業(yè)樣本共計(jì)600余家,同時(shí)也針對(duì)國(guó)內(nèi)100多所高校進(jìn)行了調(diào)研。其中民營(yíng)企業(yè)占50%、國(guó)有企業(yè)占13%、外資與合資企業(yè)占34%;產(chǎn)業(yè)鏈方面,調(diào)研的企業(yè)中芯片設(shè)計(jì)服務(wù)與無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司等IC設(shè)計(jì)企業(yè)占50%,其中無(wú)晶圓半導(dǎo)體企業(yè)占據(jù)半壁江山,達(dá)到58%。
說(shuō)到元器件的真假,無(wú)非就是需要辨別一下,元器件是原裝貨還是散新貨。散新貨是指翻新件或是拆機(jī)件,是經(jīng)過(guò)處理再加工的器件。那么如何才能夠用同樣的價(jià)格購(gòu)買到全新的器件?本文通過(guò)介紹以下幾點(diǎn)幫助你選擇全新功能的器件:(1)看芯片表面是否有打磨過(guò)的痕跡;(2)看印字;(3)看引腳;(4)看器件生產(chǎn)日期和封裝廠標(biāo)號(hào);(5)測(cè)器件厚度和看器件邊沿。
近日,工信部發(fā)布平臺(tái)消息稱,根據(jù)集成電路軍民通用標(biāo)準(zhǔn)制修訂計(jì)劃,相關(guān)單位已完成《IP核可測(cè)試性設(shè)計(jì)指南》等12項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和3項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿的編制工作,涉及半導(dǎo)體測(cè)試、存儲(chǔ)器接口等方面。集成電路作為芯片等重要元器件的基礎(chǔ),軍民通用標(biāo)準(zhǔn)的征求意見(jiàn)出臺(tái),將為軍隊(duì)信息化提供重要支撐.
Flash存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對(duì)它了解有多少呢?
按發(fā)光強(qiáng)度和工作電流分有普通亮度的LED(發(fā)光強(qiáng)度<10mcd);超高亮度的LED(發(fā)光強(qiáng)度>100mcd);把發(fā)光強(qiáng)度在10~100mcd間的叫高亮度發(fā)光二極管。一般LED的工作電流在十幾mA至幾十mA,而低電流LED的工作電流在2mA以下(亮度與普通發(fā)光管相同)。除上述分類方法外,還有按芯片材料分類及按功能分類的方法
在基本要求方面,要堅(jiān)持把科技進(jìn)步和創(chuàng)新作為加快轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式的重要支撐。深入實(shí)施科教興國(guó)戰(zhàn)略和人才強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略,充分發(fā)揮科技第一生產(chǎn)力和人才第一資源作用,提高教育現(xiàn)代化水平,增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力······
電阻箱作為電子測(cè)量的基礎(chǔ)設(shè)備,其技術(shù)發(fā)展正圍繞高精度、小型化與集成化三大方向深入推進(jìn),以適配日益多元的應(yīng)用場(chǎng)景。高精度始終是技術(shù)突破的核心目標(biāo)。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入 2nm 制程時(shí)代,芯片測(cè)試對(duì)電阻箱的精度
前言隨著智能網(wǎng)聯(lián)汽車和自動(dòng)駕駛技術(shù)的飛速發(fā)展,車載無(wú)線通信(如5G、V2X、藍(lán)牙、Wi-Fi、GPS/GNSS等)已成為智能座艙和智能駕駛的核心支撐。射頻(RF)類芯片作為實(shí)現(xiàn)這些功能的關(guān)鍵元器件,其性能穩(wěn)定性與可靠性直
前言:電力電子電源在當(dāng)今社會(huì)環(huán)境下應(yīng)用及其廣泛,建筑照明、工業(yè)生產(chǎn)、交通運(yùn)輸、新能源發(fā)電、IT設(shè)備、航天軍工、甚至消費(fèi)電子等等,無(wú)一例外能離開電源技術(shù)。有從事功率開關(guān)器件、電子元器件及芯片等研發(fā)的電源工
以下哪個(gè)小目標(biāo)的溫度測(cè)試難題最讓你頭疼?A、電子研發(fā):芯片 or 電路板的 “發(fā)熱元兇”,難以精準(zhǔn)定位?B、材料實(shí)驗(yàn):熔融溫度 or納米熱性能,目標(biāo)太小溫度分布全靠猜?C、生物科研:活體樣本 or 迷你目標(biāo), 細(xì)微溫
半導(dǎo)體測(cè)試半導(dǎo)體在研發(fā)和制造的各個(gè)環(huán)節(jié)都要進(jìn)行反復(fù)測(cè)試,以確保產(chǎn)品質(zhì)量符合設(shè)計(jì)要求。問(wèn)題產(chǎn)品的影響不可估量,從IC級(jí)別的數(shù)十美元,到模塊級(jí)別的數(shù)百美元,乃至應(yīng)用級(jí)別的數(shù)千美元或更高。因此,半導(dǎo)體從設(shè)計(jì)驗(yàn)
客戶背景微電子實(shí)驗(yàn)室是致力于各類半導(dǎo)體芯片研究的重要科研機(jī)構(gòu)。對(duì)于高端芯片的研發(fā)而言,實(shí)驗(yàn)室內(nèi)部的環(huán)境溫濕度條件至關(guān)重要,因此該實(shí)驗(yàn)室對(duì)環(huán)境溫濕度的控制與監(jiān)測(cè)提出了極為嚴(yán)格的要求。圖片實(shí)驗(yàn)室溫濕度控制
隨著國(guó)家衛(wèi)星通信芯片、網(wǎng)絡(luò)的不斷發(fā)展及應(yīng)用場(chǎng)景的持續(xù)豐富,我國(guó)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)進(jìn)度有望實(shí)現(xiàn)批量化、商業(yè)化、高效化的飛躍發(fā)展,在手機(jī)終端生產(chǎn)測(cè)試中對(duì)射頻測(cè)試儀表提出新的要求。電科思儀基于終端綜合測(cè)試儀+測(cè)
在工業(yè)制造領(lǐng)域,高精度測(cè)試儀器是保障產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率的關(guān)鍵因素。從汽車零部件制造到電子芯片生產(chǎn),高精度測(cè)試儀器確保每一個(gè)產(chǎn)品都符合嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。在汽車制造中,高精度的三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x用于檢測(cè)汽車零部件
光模塊是現(xiàn)代通信技術(shù)的核心組成部分,廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、5G網(wǎng)絡(luò)和光纖通信等領(lǐng)域。光模塊通常由光發(fā)射組件、光接收組件、激光器芯片(LD)、探測(cè)器芯片(PD)等部件組成。為了確保這些器件在高性能、高速率和高穩(wěn)
7layers成功驗(yàn)證了其Interlab藍(lán)牙射頻測(cè)試解決方案中的信道探測(cè)(Channel Sounding)認(rèn)證測(cè)試,該測(cè)試基于RS CMW寬帶無(wú)線電通信測(cè)試儀。羅德與施瓦茨(以下簡(jiǎn)稱“RS”)和 7layers 公司以及主流芯片制造商攜手打造該
半導(dǎo)體封裝半導(dǎo)體封裝技術(shù),是將半導(dǎo)體集成電路芯片用特定的外殼進(jìn)行封裝,以保護(hù)芯片、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能,并實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部與外部電路的連接和通信。1、高性能半導(dǎo)體封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)Protec是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體后處理設(shè)備(
概述下一代計(jì)算機(jī)和通信系統(tǒng)將處理每秒幾千兆位的數(shù)據(jù)速率。許多系統(tǒng)將采用超過(guò)千兆赫時(shí)鐘頻率的處理器和 SERDES 芯片組。隨著交換機(jī)、路由器、服務(wù)器刀片和存儲(chǔ)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)設(shè)備向 800 Gbps、1.6Tbps 數(shù)據(jù)速率發(fā)展,新
伴隨著光通信技術(shù)的快速發(fā)展,硅光芯片、光器件、光模塊及中短距離光通信網(wǎng)絡(luò)(如機(jī)載、車載光網(wǎng)絡(luò))的精確故障定位與診斷,已成為研發(fā)人員工作中的瓶頸。上述場(chǎng)景對(duì)測(cè)試設(shè)備分辨率、靈敏度要求較高。為解決該難題,
8月14日,記者從復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方微信公眾號(hào)獲悉,復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種二維超快閃存的規(guī)模集成工藝,將推動(dòng)超快顛覆性閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》(“